檢索結果：共4筆資料 檢索策略： "氮化鎵".ckeyword (精準) and cadvisor.raw="謝耀慶"
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近年來因應商品需求，電源設計的功率密度要求越來越高，高頻化演變成一種趨勢，而氮化鎵半導體的出現，為高頻應用帶來新的突破。隨著氮化鎵技術穩定發展，元件可靠度也較以往高，對於不同需求的規格提供了更多選擇…
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本論文主要研製一種混合切換主動箝位返馳式轉換器，所提出混合切換技術可增加功率開關之零電壓切換範圍。本文將氮化鎵高電子遷移率電晶體使用在混合切換主動箝位返馳式轉換器中，藉以提高切換頻率，降低功率損耗。…
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提升切換頻率來降低磁性元件以及濾波元件的大小，藉此提升產品的功率密度已是產業的趨勢。但是以往受限於矽元件的特性，大幅限制了電路的切換頻率，近來氮化鎵元件的興起使得電路可以操作於更高的切換頻率。 以高…
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氮化鎵高電子遷移率電晶體在近幾年中逐漸發展成熟，除了穩定性提高外，更有適用於不同需求的規格可供選擇，在許多方面都比現有的矽功率開關還要有更佳的特性，得以使電路操作在更高的頻率上。 因此本文將氮化鎵電…